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2SC3356分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC3356
廠商型號

2SC3356

參數(shù)屬性

2SC3356 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

功能描述

TRANSISTOR (NPN)

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

102.82 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商

HTSEMI

中文名稱

金譽(yù)半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-16 22:50:00

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2SC3356規(guī)格書詳情

FEATURES

Power dissipation

PCM: 0.2 W (Tamb=25℃)

Collector current

ICM: 0.1 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO: 20 V

Operating and storage junction temperature range

TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC3356-T1B-R24-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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