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2SB1495分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SB1495
廠商型號

2SB1495

參數(shù)屬性

2SB1495 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 3A TO220NIS

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

241.21 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 23:00:00

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2SB1495規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High DC Current Gain-

: hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -2A)

? Low-Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat)= -1.5V(Max.)@IC= -1.5A

? Complement to Type 2SD2257

APPLICATIONS

? Designed for high power switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SB1495,Q(M

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 1.5mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 2A,2V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A TO220NIS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
NA/
1810
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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22+
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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177
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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