2SB1429分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
2SB1429 |
參數(shù)屬性 | 2SB1429 封裝/外殼為T(mén)O-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 20V 3A SOT23 |
功能描述 | TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
111 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
中文名稱(chēng) | 東芝 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-17 23:01:00 |
人工找貨 | 2SB1429價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
Power Amplifier Applications
特性 Features
? Complementary to 2SD2155
? Recommend for 100W High Fidelity Audio Frequency - Amplifier Output Stage
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2SB1429_R1_00001
- 制造商:
Panjit International Inc.
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類(lèi)型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 300mA,3A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 500mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
160MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23
- 描述:
TRANS PNP 20V 3A SOT23
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
14 |
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SOT-23 |
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詢價(jià) |