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2SB1421中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SB1421
廠商型號(hào)

2SB1421

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

130.91 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-18 10:20:00

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2SB1421規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -140V(Min)

? Wide Area of Safe Operation

? Complement to Type 2SD2140

APPLICATIONS

? Designed for high power amplifications.

? Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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