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2SB1404中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB1404
廠商型號

2SB1404

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

127.61 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-18 20:03:00

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DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage-.. :V(BR)cEo=-120V(Min)

? High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1.5A

APPLICATIONS

? Designed for low frequency power amplifier applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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