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2SB1386T100Q分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SB1386T100Q
廠商型號(hào)

2SB1386T100Q

參數(shù)屬性

2SB1386T100Q 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 20V 5A MPT3

功能描述

Low frequency transistor (??0V,??A)

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

135.55 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

ROHM

中文名稱

羅姆

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-24 11:06:00

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2SB1386T100Q規(guī)格書詳情

特性 Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = -0.35V (Typ.)

(IC / IB = -4A / -0.1A)

2) Excellent DC current gain characteristics.

3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SB1386T100Q

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 100mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    120MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MPT3

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 5A MPT3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
24+
N/A
56000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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