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2SB1375分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2SB1375
廠商型號(hào)

2SB1375

參數(shù)屬性

2SB1375 封裝/外殼為T(mén)O-220-3 整包;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 3A TO220NIS

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

126.49 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱(chēng)

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-24 23:01:00

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2SB1375規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -60V(Min)

? Collector Power Dissipation-

: Pc= 25 W@ Tc= 25°C

? Low Collector SaturationVoltage-

: VCE(sat)- -1.5V(Max)@ (|c= -2A, IB= -0.2A)

? Complement to Type 2SD2012

APPLICATIONS

? Designed for audio frequency power amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SB1375,CLARIONF(M

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    9MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 3A TO220NIS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
24+
NA/
10000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
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TOSHIBA/東芝
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代理渠道/只做原裝/可含稅
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百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢(xún)價(jià)
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全新原裝正品支持含稅
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