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2SB1341中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SB1341
廠商型號(hào)

2SB1341

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

126.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 21:14:00

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DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min)

? High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -2A)

APPLICATIONS

? Designed for power amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SB1341

  • 制造商:

    Distributed By MCM

  • 功能描述:

    SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB -480V -4A 40W BCE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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