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2SB1216S-H分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SB1216S-H
廠商型號

2SB1216S-H

參數(shù)屬性

2SB1216S-H 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 4A TP

功能描述

Bipolar Transistor (-)100V, (-)4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
TRANS PNP 100V 4A TP

封裝外殼

TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

文件大小

366.77 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-12 9:19:00

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2SB1216S-H規(guī)格書詳情

2SB1216S-H屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的2SB1216S-H晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2SB1216S-H

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    130MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應商器件封裝:

    TP

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 4A TP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
ON/安森美
22+
TO-252
14100
原裝正品
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