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2SB1182分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SB1182
廠商型號

2SB1182
參數(shù)屬性

2SB1182 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 32V 2A DPAK
功能描述

Medium power transistor (-32V, -2A)
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

180.38 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商

ROHM
中文名稱

羅姆
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-1 23:01:00
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2SB1182規(guī)格書詳情

● Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = ?0.5V (Typ.)

(IC/IB = ?2A / ?0.2A)

2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862.

● Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SB1182-Q-TP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    800mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    82 @ 500mA，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    TRANS PNP 32V 2A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM/羅姆
24+
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