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2SB1157中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB1157
廠商型號

2SB1157

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

126.9 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導體 新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-15 20:00:00

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DESCRIPTION

? Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEo=-100V(Min)

? Good Linearity of hFE

? Wide Area of Safe Operation

? Complement to Type 2SD1712

APPLICATIONS

? Designed for high power amplifier applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SB1157

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon PNP Power Transistors

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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