2SB1101中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
2SB1101 |
功能描述 | Silicon PNP Darlington Power Transistor |
文件大小 |
186.89 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
中文名稱(chēng) | 新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-22 16:13:00 |
人工找貨 | 2SB1101價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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DESCRIPTION
? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -60V(Min)
? High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -2A)
? Complement to Type 2SD1601
APPLICATIONS
? Designed for low frequency power amplifiers applications.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
2SB1101
- 制造商:
ISC
- 制造商全稱(chēng):
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述:
Silicon PNP Power Transistors
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢(xún)價(jià) | |||
HIT |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
HITACHI/日立 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢(xún)價(jià) | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220 |
22430 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道??商峁┐罅繋?kù)存,詳 |
詢(xún)價(jià) | ||
MAT |
16+ |
TO-220 |
100000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
HITACHI |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
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詢(xún)價(jià) | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢(xún)價(jià) |