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2SA812

AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

FEATURES ?Complementaryto2SC1623 ?HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=?6.0V,IC=?1.0mA)) ?HighVoltage:VCEO=?50V

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SA812

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

2SA812

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/m4/marking.html">M4；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SA812

PNP Silicon Epitaxial Transistor

Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SA812

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ●Complementaryto2SC1623 ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ●HighVoltage:Vceo=-50V

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

2SA812

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Designedforaudiofrequencyamplifierapplications.

DCCOM

Dc Components

2SA812

PNP General Purpose Transistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SA812

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SA812

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

2SA812

PNP General Purpose Transistor

■FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

桂微桂林斯壯桂微電子有限責(zé)任公司

技術(shù)參數(shù)

  • VCEO (V)：

    -50

  • IC @25 °C (A)：

    -0.1

  • VCE (sat) (V)：

    -0.3

  • hFE：

    90-600

  • Pc (W)：

    0.2

  • fT (Typical) (GHz)：

    0.18

  • Cob (Typical) (pF)：

    4.5

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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SOT23
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 詢價(jià)
更多2SA812供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:20:00

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