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2SA2013-TD-E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SA2013-TD-E
廠商型號

2SA2013-TD-E

參數(shù)屬性

2SA2013-TD-E 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 4A PCP

功能描述

Bipolar Transistor
TRANS PNP 50V 4A PCP

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

364.43 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-7 23:00:00

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2SA2013-TD-E規(guī)格書詳情

2SA2013-TD-E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的2SA2013-TD-E晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2SA2013-TD-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    340mV @ 100mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    400MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    PCP

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 4A PCP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
24+
SOT89
87048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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ON/安森美
24+
NA/
11250
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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23+
SOT89
20000
全新原裝假一賠十
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SANYO
10PB
SOT89
13500
全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢
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37000
原裝現(xiàn)貨,實單價格可談
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24+
SOT-89 / PCP-1
25000
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ON/安森美
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