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2SA1645-Z

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ?LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.3V(Max)@(IC=-4A,IB=-0.2A) ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Developedforuseinswitchingpowersupplies,DC/DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1645-Z

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/hfe2/marking.html">HFE2;Package:TO-220AB;SILICON POWER TRANSISTOR

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORHIGH-SPEEDSWITCHING The2SA1645isamoldpowertransistordevelopedforhighspeed switchingandfeaturesaverylowcollector-to-emitter saturationvoltage.Thistransistorisidealforuseinswitching powersupplies,DC/DCconverters,motordrivers,so

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SA1645_15

Silicon PNP Power Transistors

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SA1645_15

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Vcbo (V):

    -150

  • VCEO (V):

    -100

  • Vebo (V):

    -7

  • IC @25 °C (A):

    -7

  • VCE (sat) (V):

    -0.5

  • hFE:

    100-400

  • Pc (W):

    35

  • fT (Typical) (GHz):

    0.15

  • Cob (Typical) (pF):

    150

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更多2SA1645供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:30:00