2SA1162分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào)	2SA1162
參數(shù)屬性	2SA1162 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
功能描述	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
封裝外殼	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	189.37 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	TOSHIBA
中文名稱	東芝
網(wǎng)址	網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-8-9 20:00:00
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2SA1162規(guī)格書詳情

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

? High voltage and high current: VCEO= ?50 V, IC= ?150 mA (max)

? Excellent hFElinearity: hFE(IC= ?0.1 mA)/hFE(IC= ?2 mA)

= 0.95 (typ.)

? High hFE: hFE= 70~400

? Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)

? Complementary to 2SC2712

? Small package

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
2SA1162-GR,LXHF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
系列：
Automotive, AEC-Q101
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
頻率 - 躍遷：
80MHz
工作溫度：
125°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：
S-Mini
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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