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2SA1162分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SA1162
廠商型號

2SA1162

參數(shù)屬性

2SA1162 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

功能描述

Silicon PNP Epitaxial Type Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

86.92 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

KEXIN

中文名稱

科信電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 20:44:00

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2SA1162規(guī)格書詳情

■ Features

● High voltage and high current

● High hFE: hFE = 70~400

● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)

● Complementary to 2SC2712

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SA1162-GR,LXHF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,6V

  • 頻率 - 躍遷:

    80MHz

  • 工作溫度:

    125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
藍(lán)箭
1942+
SOT-23
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TOSHIBA
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SOT-23
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