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2PB709AR	文件：42 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-59plasticpackage.NPNcomplement:2PB601A. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
2PB709AR	文件：281 Kbytes Page：7 Pages	PNPgeneralpurposetransistor FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
2PB709ARL	文件：614.42 Kbytes Page：9 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistors Features General-purposetransistors Twocurrentgainselections AEC-Q101qualified SmallSMDplasticpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
2PB709ARL/DG	文件：614.42 Kbytes Page：9 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistors Features General-purposetransistors Twocurrentgainselections AEC-Q101qualified SmallSMDplasticpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
2PB709ARL-Q	文件：182.22 Kbytes Page：7 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistor 1.Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorinasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?General-purposetransistors ?Twocurrentgainselections ?SmallSMDplasticpackage ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforusein	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
2PB709ARLSLASHDG	文件：614.42 Kbytes Page：9 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistors Features General-purposetransistors Twocurrentgainselections AEC-Q101qualified SmallSMDplasticpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
2PB709ART	文件：591.62 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Features General-purposetransistor SmallSMDplasticpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
2PB709ARW	文件：283.39 Kbytes Page：7 Pages	PNPgeneralpurposetransistor FEATURES ?Highcollectorcurrent(max.100mA) ?Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.500mV).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
2PB709ARW	文件：47.59 Kbytes Page：1 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features ●Highcollectorcurrent(max.100mA). ●Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.500mV).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2PB709AS	文件：42 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-59plasticpackage.NPNcomplement:2PB601A. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

詳細參數(shù)

型號：
2PB709BSL
功能描述：
兩極晶體管 - BJT PNP -50 V -200 mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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