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2N7053分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N7053
廠商型號(hào)

2N7053

參數(shù)屬性

2N7053 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3

功能描述

NPN Darlington Transistor

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

文件大小

86.1 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-11 8:10:00

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2N7053規(guī)格書詳情

NPN Darlington Transistor

This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N7053

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 100μA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    200nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-226-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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