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2N7002K

Voltagecontrolledsmallsignalswitch

MOSFET(N-Channel) FEATURES ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2N7002K

N-ChannelMOSFET

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2N7002K

SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFET

N-ChannelMOSFET Features ●HighdensitycelldesignforLowRDS（on） ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability ●ESDprotected Applications ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter

HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd

蘇海德半導(dǎo)體蘇海德半導(dǎo)體有限公司

2N7002K

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

2N7002K

300mA,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2N7002K

NChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURE ●60V/0.50A,RDS(ON)=2?@VGS=10V ●60V/0.20A,RDS(ON)=4?@VGS=4.5V ●SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) ●Exceptionalon-resistanceandMaximumDCcurrentcapability ●ESDcapability:2000V ●SOT-23packagedesign

STANSON

Stanson Technology

2N7002K

N-channelMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2N7002K

N-ChannelSMDMOSFETESDProtection

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

2N7002K

60VESDProtectedN-ChannelEnhancementModeMOSFET

RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=2? RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=3? FEATURES ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?UltraLowOnResistance:2? ?FastSwitchingSpeed:20ns ?LowInputandOutputLeakageCurrent ?2KVESDProtection ?SpeciallyDesignedforHighSpeedCircuit,BatteryOpe

HY

HY ELECTRONIC CORP.

2N7002K

N-ChannelAdvancedPowerMOSFET

Features ?60V/0.2A, RDS(ON)=2500m?(Typ.)@VGS=10V RDS(ON)=2500m?(Typ.)@VGS=5V ?ESDprotectedupto2KV ?LowOn-Resistance ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeandGreenDevicesAvailable(RoHSCompliant) Applications ?PowerManagementinDesktopC

RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2N7002F

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH TRNCH 60V .475A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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