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2N7002E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N7002E
廠商型號(hào)

2N7002E

參數(shù)屬性

2N7002E 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT

功能描述

N-channel TrenchMOS FET

絲印標(biāo)識(shí)

-2E

封裝外殼

SOT-23

文件大小

81.36 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

PHI

中文名稱

飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-8 23:00:00

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2N7002E規(guī)格書詳情

General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.

特性 Features

■ Logic level threshold compatible

■ Surface-mounted package

■ Very fast switching

■ TrenchMOS technology

Applications

■ Logic level translator

■ High-speed line driver

Quick reference data

■ VDS ≤ 60 V

■ RDSon ≤ 3 ?

■ ID ≤ 385 mA

■ Ptot ≤ 0.83 W

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N7002E

  • 制造商:

    ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
恩XP
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