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2N7002BK中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N7002BK
廠商型號

2N7002BK
功能描述

60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
絲印標識

LN
封裝外殼

TO-236AB
文件大小

737.7 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved
中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-8 23:00:00
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2N7002BK規(guī)格書詳情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small

SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using

Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 2 kV

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    2N7002BK

  • 功能描述：

    MOSFET Single N-Channel 60V 300mA

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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