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H2N7000

N-CHANNELENHANCEMENTMODETRANSISTOR

Description TheH2N7000isdesignedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers.

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

ST2N7000

SmallSignalMOSFET

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司

TSM2N7000

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM2N7000

60VN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM2N7000CT

60VN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM2N7000K

60VN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM2N7000K

60VN-ChannelMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM2N7000KCT

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

X2N7000

N-ChannelEnhancement-ModeMOSTransistor

DESCRIPTION The2N7000utilizesCalogic’sverticalDMOStechnology.ThedeviceiswellsuitedforswitchingapplicationswhereBVof60Vandlowonresistance(under5ohms)arerequired.The2N7000ishousedinaplasticTO-92package.

Calogic

Calogic, LLC

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2N7000P

  • 功能描述:

    MOSFET -

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ZETEX
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更多2N7000P供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:35:00