2N7000G中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
2N7000G規(guī)格書詳情
描述 Description
This Power MOSFET is the second generation of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
特性 Features
■ Low Qg
■ Low threshold drive
Application
■ Switching applications
產品屬性
- 型號：
2N7000G
- 功能描述：
MOSFET 60V 200mA N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
標準封裝 |
8000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
25+ |
標準封裝 |
8800 |
公司只做原裝,詳情請咨詢 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實單 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
SMDDIP |
9526 |
詢價 | |||
on |
23+ |
to-92 |
3442 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-92 |
8600 |
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詢價 | ||
ON |
24+ |
N/A |
4231 |
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詢價 | ||
ON |
24+ |
N/A |
6540 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
ON |
2016+ |
TO92 |
5000 |
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詢價 | ||
ST |
25+ |
25000 |
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詢價 |
