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2N7000中文資料KEC數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N7000
廠商型號(hào)

2N7000

功能描述

FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

68.5 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

KEC KEC CORPORATION

中文名稱

KEC株式會(huì)社

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-7 23:01:00

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2N7000規(guī)格書詳情

INTERFACE AND SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

? High density cell design for low RDS(ON).

? Voltage controlled small signal switch.

? Rugged and reliable.

? High saturation current capability.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N7000

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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