2N6649數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
2N6649 |
| 參數(shù)屬性 | 2N6649 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：PNP TRANSISTOR |
| 功能描述 | Darlington PNP Silicon Power -40V -80V, -10A |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名稱 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-2 19:38:00 |
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2N6649規(guī)格書詳情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for PNP silicon, Darlington power, 2N6648, 2N6649 and 2N6650 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/527. The device package outlines is a diamond base, flange mount TO-204-AA package (formerly TO-3) for all encapsulated device types.
簡介
2N6649屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由制造生產(chǎn)的2N6649晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。
技術參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
2N6649
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-3 |
45000 |
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