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2N6496數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

2N6496

參數(shù)屬性

2N6496 封裝/外殼為T(mén)O-204AA,TO-3;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

High-Current, High-Power High-Speed Silicon N-P-N Planar Transistors

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

制造商

GESS GE Solid State

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 11:09:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6496

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 800μA, 8mA

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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