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2N6301E3中文資料Darlington Transistors數(shù)據(jù)手冊Microchip規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

2N6301E3

參數(shù)屬性

2N6301E3 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66

功能描述

Darlington Transistors
TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名稱

微芯科技 美國微芯科技公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-9 18:26:00

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2N6301E3規(guī)格書詳情

描述 Description

This high speed NPN transistor is rated at 8 amps and is military qualified up to a JANTXV level.? This TO-213AA isolated package features a 180 degree lead orientation.??ROHS, PB Free

簡介

2N6301E3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的2N6301E3晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2N6301E3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 80mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 4A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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