1A) PNP Darlington,設(shè)計(jì)實(shí)例">

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首頁(yè)>2N6285>規(guī)格書詳情

2N6285中文資料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington數(shù)據(jù)手冊(cè)Central規(guī)格書

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廠商型號(hào)

2N6285

參數(shù)屬性

2N6285 封裝/外殼為模具;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington

封裝外殼

模具

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名稱

美國(guó)中央半導(dǎo)體

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-10 17:11:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :2N6285

  • 生產(chǎn)廠家

    :Central

  • Case

    :TO-3

  • Configuration/ Description

    :PNP Darlington

  • Polarity

    :PNP

  • IC MAX

    :20A

  • PD MAX

    :160W

  • VCEO MAX

    :60V

  • VCES MAX

    :-

  • hFE MIN

    :750

  • hFE MAX

    :18000

  • @VCE

    :3V

  • VCE(SAT) MAX

    :2V

  • @IC

    :10A

  • @IB

    :40mA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :600pF

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :4MHz

  • NF MAX

    :-

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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