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2N6211P中文資料PNP Silicon High-Power -60V to -80V, -2A PIND Tested數(shù)據(jù)手冊(cè)Microchip規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號(hào)

2N6211P

參數(shù)屬性

2N6211P 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

PNP Silicon High-Power -60V to -80V, -2A PIND Tested
POWER BJT

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名稱

微芯科技 美國(guó)微芯科技公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-10 19:46:00

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2N6211P規(guī)格書詳情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for PNP silicon, high-voltage, 2N6211, 2N6212, 2N6213 and 2N6213A transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) as specified in MIL-PRF-19500/461. Two levels of product assurance are provided for each unencapsulated device (JANHC and JANKC). The device package outlines are as follows: TO-66 for all encapsulated device types. The dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/461.

簡(jiǎn)介

2N6211P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的2N6211P晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6211P

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.4V @ 125mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    5mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 1A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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