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2N6190中文資料Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch數(shù)據(jù)手冊(cè)Central規(guī)格書(shū)

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廠商型號(hào)

2N6190

參數(shù)屬性

2N6190 封裝/外殼為T(mén)O-205AA,TO-5-3 金屬罐;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch

封裝外殼

TO-205AA,TO-5-3 金屬罐

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名稱

美國(guó)中央半導(dǎo)體

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-10 22:30:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :2N6190

  • 生產(chǎn)廠家

    :Central

  • Case

    :TO-39

  • Configuration/ Description

    :PNP General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity

    :PNP

  • IC MAX

    :5A

  • PD MAX

    :10W

  • VCEO MAX

    :80V

  • hFE MIN

    :30

  • hFE MAX

    :120

  • @VCE

    :2V

  • VCE(SAT) MAX

    :700mV

  • @IC

    :2A

  • @IB

    :200mA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :300pF

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :30MHz

  • NF MAX

    :-

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