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2N6078分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6078
廠商型號

2N6078

參數(shù)屬性

2N6078 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

278.7 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導體 新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 19:49:00

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2N6078規(guī)格書詳情

High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor

For Switching and Linear Applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6078

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 200μA, 1.2mA

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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