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2N6059中文資料Darlington NPN Silicon Power 80V 100V, 12A數(shù)據(jù)手冊Microchip規(guī)格書

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廠商型號

2N6059

參數(shù)屬性

2N6059 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

功能描述

Darlington NPN Silicon Power 80V 100V, 12A
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名稱

微芯科技 美國微芯科技公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-11 18:29:00

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2N6059規(guī)格書詳情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for NPN silicon power Darlington, 2N6058 and 2N6059 transistors. Three levels of product assurance are (JAN, JANTX and JANTXV) provided for each encapsulated device as specified in MIL-PRF-19500/502. The device package outlines are as follows: TO-204AA (similar to TO-3) for all encapsulated device types.

簡介

2N6059屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產(chǎn)的2N6059晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2N6059

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

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