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2N6059分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6059
廠商型號

2N6059

參數(shù)屬性

2N6059 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

功能描述

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

190.17 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 17:06:00

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2N6059規(guī)格書詳情

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

. . . designed for general?purpose amplifier and low frequency switching applications.

? High DC Current Gain —

hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc

? Collector?Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6058

100 Vdc (Min) — 2N6052, 2N6059

? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistors

? These devices are available in Pb?free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb?free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb?free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6059

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    4MHz

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
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