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2N6057分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6057
廠商型號(hào)

2N6057

參數(shù)屬性

2N6057 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

223.22 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

COMSET

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更新時(shí)間

2025-8-10 14:07:00

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2N6057規(guī)格書詳情

POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

The 2N6050, 2N6051 and 2N6052 are silicon epitaxial-base transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-3 metal case.

They are inteded for use in power linear and low frequency switching applications.

The complementary NPN types are 2N6057, 2N6058 and 2N6059 respectively.

Compliance to RoHS.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6057

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 24mA, 6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
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TO-3
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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