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2N6052分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6052
廠商型號

2N6052

參數(shù)屬性

2N6052 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

功能描述

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

190.17 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 16:20:00

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2N6052規(guī)格書詳情

2N6052屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的2N6052晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

. . . designed for general?purpose amplifier and low frequency switching applications.

? High DC Current Gain —

hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc

? Collector?Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6058

100 Vdc (Min) — 2N6052, 2N6059

? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistors

? These devices are available in Pb?free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb?free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb?free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2N6052

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 6A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 12A TO204

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