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2N6045分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6045
廠商型號

2N6045

參數(shù)屬性

2N6045 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

174.34 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-9 20:00:00

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2N6045規(guī)格書詳情

2N6045屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2N6045晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Plastic medium?power complementary silicon transistors are designed for general?purpose amplifier and low?speed switching applications.

特性 Features

? High DC Current Gain ? hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? @ 100 mAdc ?

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) ? 2N6040, 2N6043

= 100 Vdc (Min) ? 2N6042, 2N6045

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc ? 2N6043,44

= 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc ? 2N6042, 2N6045

? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistors

? Epoxy Meets UL 94 V?0 @ 0.125 in

? ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2N6045

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 12mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,4V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
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3650
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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