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2N6035分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2N6035 |
參數(shù)屬性 | 2N6035 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 |
功能描述 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
封裝外殼 | TO-225AA,TO-126-3 |
文件大小 |
113.74 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-13 10:50:00 |
人工找貨 | 2N6035價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
2N6035規(guī)格書詳情
2N6035屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的2N6035晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術。
Plastic Darlington complementary silicon power transistors are designed for general purpose amplifier and low?speed switching applications.
特性 Features
? ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
Human Body Model, 3B; > 8000 V
? Epoxy Meets UL 94 V?0 @ 0.125 in
? Pb?Free Packages are Available*
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
2N6035G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
PNP - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
3V @ 40mA,4A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 2A,3V
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-225AA,TO-126-3
- 供應商器件封裝:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
TO-225AA |
279 |
詢價 | |||
9631 |
5 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價 | ||||
23+ |
TO126 |
4000 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | |||
ON |
24+ |
TO-126 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
382 |
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詢價 | ||
22+ |
NA |
2108 |
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詢價 | |||
24+ |
N/A |
82000 |
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詢價 | |||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
CAN4 |
1676 |
專營鐵帽CANCDIP |
詢價 | |||
ON/安森美 |
TO-126 |
22+ |
6000 |
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詢價 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SMD |
8880 |
原裝認準芯澤盛世! |
詢價 |