2N5401N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N5401N |
| 參數(shù)屬性 | 2N5401N 封裝/外殼為T(mén)O-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）；包裝為帶盒（TB）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 |
| 功能描述 | PNP Silicon Transistor |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
252.13 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | AUK |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-23 17:05:00 |
| 人工找貨 | 2N5401N價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多2N5401N規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
?General purpose amplifier
?High voltage application
特性 Features
?High collector breakdown voltage : VCBO= -160V, VCEO= -160V
?Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.)
?Complementary pair with 2N5551N
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N5401NLBU
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
帶盒（TB）
- 晶體管類(lèi)型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
400MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92-3
- 描述：
TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TO-92 |
30000 |
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詢價(jià) | ||
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