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2N5306分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5306
廠商型號(hào)

2N5306

參數(shù)屬性

2N5306 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3

功能描述

Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

文件大小

59.95 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商

CENTRAL

中文名稱

美國(guó)中央半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 23:01:00

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2N5306規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403.

MARKING: FULL PART NUMBER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5306

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.4V @ 200μA,200mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    7000 @ 2mA,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
24+
NA/
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原裝正品現(xiàn)貨
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2N5306
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57
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2018+
TO92
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