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2N4401中文資料TGS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N4401
廠商型號

2N4401

功能描述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件大小

52.62 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

TGS

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 23:00:00

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2N4401規(guī)格書詳情

描述 Description

The 2N4401 is designed for general purpose switching and amplifier applications.

特性 Features

? Complementary to 2N4403.

? High Power Dissipation : 625 mW at 25°C

? High DC Current Gain : 100-300 at 150mA

? High Breakdown Voltage : 40 V Min.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N4401

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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