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2N4124

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

0.2A,30VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighTransitionFrequency

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2N4124

NPNGeneralPurposeAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N4124

GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N4124

SmallSignalTransistors

SmallSignalTransistors

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N4124

NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

2N4124

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor625mW

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?ThroughHoleTO-92Package ?Capableof625mWattsofPowerDissipation ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?Mois

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2N4124

SmallSignalTransistors(NPN)

FEATURES ?NPNSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications. ?EspeciallysuitableforAF-driverand low-poweroutputstages. ?Ascomplementarytype,thePNP transistor2N4126isrecommended.

GE

GE Industrial Company

2N4124

NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N4124

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

GENERALPURPOSETRANSISTOR ?Collector-EmitterVoltage:VCEO=25V ?CollectorDissipation:PC(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

2N4124

NPNSMALLSIGNALTRANSISTOR

FEATURES ForGeneralPurposeSwitchingandAmplifier Applications EspeciallySuitableforAFDriverandLow PowerOutputStages

TRSYS

Transys Electronics

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2N4124G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 2mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    300MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 長體

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS NPN 25V 0.2A TO92

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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