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2N3859A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N3859A
廠商型號(hào)

2N3859A

參數(shù)屬性

2N3859A 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3

功能描述

SILICON TRANSISTORS

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

文件大小

154.38 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

GESS GE Solid State

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 19:39:00

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2N3859A規(guī)格書詳情

Silicon Transistors

The GE/RCA 2N3858, 2N3859 and 2N3860 are planar epitaxial passivated NPN silicon transistors designed primarlly for AM radio I.F. and converter applications. These types are supplied in JEDEC to-98 package.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N3859A

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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