2N3417分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N3417 |
| 參數(shù)屬性 | 2N3417 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）；包裝為帶盒（TB）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3 |
| 功能描述 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
75.54 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | SEMTECH_ELEC |
| 中文名稱 | 先之科半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 9:07:00 |
| 人工找貨 | 2N3417價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
2N3417規(guī)格書詳情
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
General Purpose Amplifier
For use as general purpose amplifiers and switches
requiring collector current to 300 mA.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N3417
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 3mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 2mA，4.5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92-3
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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FAIRCHILD |
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