2N3415分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
2N3415 |
參數(shù)屬性 | 2N3415 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3 |
功能描述 | SI NPN LO-PWR BJT |
封裝外殼 | TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) |
文件大小 |
88.14 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
1 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-9 17:56:00 |
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2N3415規(guī)格書詳情
Silicon Transistors
The Types 2N3402-2N3405 and 2N3414-2N3417 are NPN silicon planar epitaxial passivated transistors intended for general purpose industrial circuits. These transistors are epecially suited for high level linear amplifiers or medium speed switching circuits in industrial control applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2N3415
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 3mA,50mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
180 @ 2mA,4.5V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-92-3
- 描述:
TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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