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2N3055H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N3055H
廠商型號

2N3055H

參數(shù)屬性

2N3055H 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 15A TO204

功能描述

Complementary Silicon Power Transistors
TRANS NPN 60V 15A TO204

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

81.17 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 19:22:00

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2N3055H規(guī)格書詳情

2N3055H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2N3055H晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS

Complementary silicon power transistors are designed for general?purpose switching and amplifier applications.

特性 Features

? DC Current Gain ? hFE = 20?70 @ IC = 4 Adc

? Collector?Emitter Saturation Voltage ?VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc

? Excellent Safe Operating Area

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2N3055H

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 3.3A,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    2.5MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 15A TO204

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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