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2ED2182S06F

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode

Description The2ED2181(4)S06F(J)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnegat

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2182S06F

650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode

Description The2ED2182(4)S06F(J)isahalf-bridgehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

2ED2182S06FXUMA1

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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