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2ED2109S06F	文件：1.67112 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The2ED2109(4)S06F(J)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnega	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
2ED2109S06F	文件：1.61501 Mbytes Page：24 Pages	650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode Description The2ED2106(4)S06F(J)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnegat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
2ED2109S06F	文件：1.70988 Mbytes Page：25 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The2ED2108(4)S06F(J)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnega	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
2ED2109S06F	文件：1.54825 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The2ED21091S06Fisahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.BasedonInfineon’sSOI-technologythereisanexcellentruggednessandnoiseimmunitywithcapabilitytomaintainoperationallogicatnegativevol	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
2ED2109S06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V, 0.7 A half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and shutdown in DSO-8 package;	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
2ED2109S06FXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

技術參數(shù)

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
650 V
Output Current Source：
0.29 A
Output Current Sink：
0.7 A
Channels：
2
Configuration：
Half Bridge
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PG-DSO-8
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
7.2 V
Turn On Propagation Delay max：
1030 ns
Turn On Propagation Delay：
740 ns
Turn Off Propagation Delay max：
300 ns
Turn Off Propagation Delay：
200 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
150 ns
Rise Time：
100 ns
Fall Time max：
80 ns
Fall Time：
35 ns
UVLO Input On：
9.1 V
UVLO Output On：
8.2 V

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2ED2109S06F	Infineon(英飛凌)	24+	SOP-8	2669	深耕行業(yè)12年,可提供技術支持。	詢價
深圳市煦洪科技有限公司	2ED2109S06F	INFINEON/英飛凌	25+	原廠封裝	10280	原廠授權一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力!	詢價
訊運(深圳/上海)電子有限公司	2ED2109S06F	Infineon(英飛凌)	2021+	DSO-8	499		詢價
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深圳市富利微電子科技有限公司	2ED2109S06F	Infineon/英飛凌	24+	DSO-8	25000	原裝正品,假一賠十!	詢價
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深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司	2ED2109S06F	Infineon/英飛凌	21+	DSO-8	6820	只做原裝,質(zhì)量保證	詢價
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更多2ED2109S06F供應商更新時間2025-7-28 14:54:00

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