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2ED020I12-F數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF

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廠商型號

2ED020I12-F

參數(shù)屬性

2ED020I12-F 封裝/外殼為18-SOIC(0.295",7.50mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2

功能描述

Dual IGBT Driver IC for eupec Low and Medium Power IGBT Modules
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2

封裝外殼

18-SOIC(0.295",7.50mm 寬)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 18:06:00

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2ED020I12-F規(guī)格書詳情

簡介

2ED020I12-F屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由制造生產(chǎn)的2ED020I12-F柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2ED020I12-F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    0V ~ 18V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1A,2A

  • 輸入類型:

    反相

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    18-SOIC(0.295",7.50mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-DSO-18-2

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon
20+
原裝
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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