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23N50E中文資料富士通數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

23N50E
廠商型號(hào)

23N50E

功能描述

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件大小

557.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FUJI

中文名稱

富士通

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-18 23:01:00

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23N50E規(guī)格書(shū)詳情

FMH23N50E, Marking : 23N50E

特性 Features

1. Maintains both low power loss and low noise

2. Lower RDS(on) characteristic

3. More controllable switching dv/dt by gate resistance

4. Smaller VGSringing waveform during switching

5. Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V)

6. High avalanche durability

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FUJITSU/富士通
24+
NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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掛的就有,常備現(xiàn)貨
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25+
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16900
原裝,請(qǐng)咨詢
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860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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FUJITSU/富士通
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富士通
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FUJITSU/富士通
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
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FUJI
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保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票
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